Оперативная память

76229553
1 897 Р
+
Гарантийный срок:24 мес Напряжение питания:1.2 В Суммарный объем4Гб Тип памятиSO-DIMM DDR4 Частота оперативной памяти2666МГц
76229547
1 801 Р
+
Гарантийный срок:24 мес Напряжение питания:1.2 В Суммарный объем4Гб Тип памятиDDR4 Частота оперативной памяти2666МГц
76229552
2 266 Р
+
Буферизованнаянет Гарантийный срок:24 мес Напряжение питания:1.2 В Низкопрофильнаянет Поддержка ECCнет
76146087
4 971 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 16 ГБ Поддержка ECCнет Пропускная способность, л/мин19200 МБ/с
7573759
3 473 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка Напряжение питания:1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 8 ГБ
76229544
1 801 Р
+
Буферизованнаянет Гарантийный срок:12 мес Напряжение питания:1.2 В Низкопрофильнаянет Поддержка ECCнет
7573744
3 455 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Напряжение питания:1.5 В Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 8 ГБ Поддержка ECCнет
76217437
1 656 Р
+
Буферизацияunbuffered Количество в упаковке:1 Количество контактов200-pin Количество чипов16 Конфигурация чипов128x8
7573743
1 850 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка Напряжение питания:1.35 В Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 4 ГБ
7614410
2 633 Р
+
RAS to CAS Delay (tRCD)19 Row Precharge Delay (tRP)19 Буферизованная (Registered)нет Количество ранков1 Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
76182878
1 935 Р
+
RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)нет Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка Напряжение питания:1.35 В
76244225
7 104 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Количество ранков2 Напряжение питания:1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 16 ГБ
76244226
2 818 Р
+
Буферизованная (Registered)нет Количество ранков1 Напряжение питания:1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)нет Объём1 модуль 8 ГБ
Показать еще 30 товаров